足球现场比分 忆阻器:打造新一代数字内存和计算

电子产品已经从这个 75 磅重的 Memorex 667 磁盘驱动器上存储的 200 兆字节中取得了长足的进步。像胡云航开发的忆阻器可以将计算推入一个新时代。
电子产品已经从这个 75 磅重的 Memorex 上存储的 200 兆字节中取得了长足的进步 667磁盘驱动器。像胡云航开发的忆阻器可以推动计算的发展 进入新时代。

忆阻器是一种新型电路,它们可能会结束硅时代 并永远改变电子产品。自从惠普首次开发出工作原型以来 在 2008 年使用二氧化钛薄膜后,工程师们一直在努力完善该模型。

现在,足球比赛结果的研究人员制作出了一种理想的忆阻器 基于二硫化钼纳米片。胡云航,查尔斯·麦克阿瑟夫妇和卡罗尔·麦克阿瑟夫妇 材料科学与工程教授领导了这项研究,今年一月。

二硫化钼纳米片的显微视图,这是一种呈薄角片状剥落的材料。

超越二进制代码

基于硅的晶体管(计算机芯片的主要组成部分)工作 使用电子流。如果晶体管中的电子流动被中断, 所有信息都会丢失。然而,忆阻器是具有记忆功能的电子器件;他们的 阻力取决于内部状态变量的动态演化。在其他方面 换句话说,忆阻器可以记住流经材料的电荷量 即使电源关闭也能保留数据。

“忆阻器可用于创建超高速存储芯片,以更少的能耗提供更多数据 消费”胡说。

此外,晶体管受到二进制代码的限制——所有的 1 和 0 运行互联网、Candy Crush 游戏、Fitbit 和家用电脑。相比之下,忆阻器 与人脑的功能类似,使用多个级别,实际上是每个数字 零到一之间。忆阻器将引发计算机革命并提供 创造类人人工智能的机会。

“与具有固定电阻的电阻器不同,忆阻器具有 电压相关的电阻。”胡解释道,并补充说材料的电特性 是关键。 “忆阻器材料必须具有可逆地改变的电阻 电压。”

他的研究表明,二硫化钼纳米片对于忆阻器很有前景。 该材料的成功归功于工程原子结构。

 理想对称

图表显示当前忆阻器与理想忆阻器之间的差异。

理想的忆阻器是对称的。电流和电压之间的关系是 均匀、圆形且在两个象限中相等。实际上,忆阻器通常表现出不平衡 电流-电压特性。然而,胡氏二硫化钼忆阻器确实 表现出理想的对称性。这将使材料更加可预测和一致 因为它是为电子产品而开发的。

为了获得这种对称性,胡和他的研究团队从块状二硫化钼开始, 也称为辉钼矿矿物,用作工业润滑剂。他们然后 操纵原子、结构排列,称为不同的晶体 阶段。具有 2H 相的块状材料可以很好地用作常规电阻器,并且 将其制成忆阻器后,团队剥去了分子层。这个去角质过程 创建具有 1T 相的二硫化钼纳米片。 1T相纳米片 表现出相对于电压的可逆变化——忆阻器所必需的。 研究人员最终将纳米片分散在银箔的两侧 形成对称忆阻器。

“这种材料正处于该应用的最初阶段,”胡说,并补充道 新材料和更好的忆阻器可以从根本上改变计算机的方式 已建成。它将从更小、更快的计算机芯片开始,但随后他做出了手势 他的办公室周围。 “这些忆阻器材料将非常通用,有一天, 这个白板和那个咖啡杯可以是计算机。”

对称忆阻器材料让我们离那一天更近了。

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